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本发明提供一种分栅式闪存的形成方法，在擦除栅多晶硅层上形成浮栅SiN层；定义擦除栅多晶硅的开口并刻蚀浮栅SiN层形成为浮栅SiN结构；在浮栅SiN结构侧壁形成第一侧墙；刻蚀擦除栅多晶硅层形成擦除栅多晶硅结构；形成擦除栅多晶硅结构的第二侧墙；...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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