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本发明公开了一种制造BCD技术(100)中的集成电路(120、140)的方法，所述集成电路用于限制基板电流和/或用于在光子(300)吸收到所述集成电路(140)中时增加有效检测深度，所述方法包括：将第一导电类型的高掺杂的附加区域(117)引...该专利属于艾尔默斯半导体欧洲股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾尔默斯半导体欧洲股份公司授权不得商用。
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本发明公开了一种制造BCD技术(100)中的集成电路(120、140)的方法，所述集成电路用于限制基板电流和/或用于在光子(300)吸收到所述集成电路(140)中时增加有效检测深度，所述方法包括：将第一导电类型的高掺杂的附加区域(117)引...