用于基板电流限制的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种制造BCD技术(100)中的集成电路(120、140)的方法，所述集成电路用于限制基板电流和/或用于在光子(300)吸收到所述集成电路(140)中时增加有效检测深度，所述方法包括：将第一导电类型的高掺杂的附加区域(117)引入在第一导电类型的低掺杂的基板(111)上；将第一导电类型的高掺杂的第一区域(112)引入在预定的第一区域中，其中，第一区域(112)与所述附加区域(117)相距最小距离；将第二导电类型的高掺杂的第二区域(113)引入在预定的第二区域中，其中，第二区域(113)与所述附加区域(117)相距所述最小距离；施加第一导电类型或第二导电类型的EPI层(115)；和在所述BCD技术(100)的顶面(130)上加工所述集成电路(120、140)。此外，本发明专利技术还公开了一种如上所述的集成电路(120、140)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造bcd技术中的集成电路的方法，用于在集成电路中限制基板电流(即，显著抑制在集成电路的基板的远离表面的子区域上少数电荷载流子的电流的表达)和/或用于在吸收光子时有效地增加有效检测深度。本专利技术还涉及一种集成电路，用于在集成电路中限制基板电流和/或用于在吸收光子时增加有效检测深度。

技术介绍

1、在多种bcd技术中，提出了单片集成电路，其可以包括双极晶体管，普通cmos晶体管以及所谓的dmos晶体管。在bcd技术中实现的电路的应用例如是dc/dc转换器、电机驱动器和其他高度集成的电力电子电路(智能电源)。

2、bcd技术的集成电路的载流子基板通常是低掺杂的并且包括同样低掺杂的外延生长层。由于低掺杂，注入到基板中的少数电荷载流子只能以相对极低的时间速率复合，因此具有长的寿命，并且因此在基板中还具有长的扩散长度。结果，电流出现在基板中，这可能使集成电路的水平空间上较远的区域无意中彼此导电。因此，基板电流注入可能使集成电路的功能和空间分离的电路区域之间发生不期望的寄生相互作用。

3、限制这些基板电流的一种方法是使用深沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造BCD技术(100)中的集成电路(120、140)的方法，所述集成电路用于限制基板电流和/或用于在光子(300)吸收到所述集成电路(140)中时增加有效检测深度，

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求2～5中任一项所述的方法，其特征在于，

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

8.一种根据权利要求1～7中任一项所...

【技术特征摘要】

1.一种制造bcd技术(100)中的集成电路(120、140)的方法，所述集成电路用于限制基板电流和/或用于在光子(300)吸收到所述集成电路(140)中时增加有效检测深度，

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求2～5中任一项所述的方法，其特征在于，

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

8.一种根据权利要求1～7中任一项所述的方法的bcd技术(100)中的集成电路(120、140)，用于限制基板电流和/或用于在光子(300)吸收到所述集成电路(120、140)中时增加有效检测深度，

9.根据权利要求8所述的集成电路(120、140)，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的集成电路(120、140)，其特征在于，

11.根据权利要求8～10中任一项所述的集成电路(120、140)，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的集成电路(12...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·罗特，尼尔斯·约翰内斯·金梅尔，
申请(专利权)人：艾尔默斯半导体欧洲股份公司，
类型：发明
国别省市：