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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上包括第一区和第二区；在所述衬底上形成伪栅，所述第一区上的伪栅的间距小于第二区上的伪栅的间距；在所述衬底上和所述伪栅侧壁上形成初始介质层，所述第一区上的初始介质层的表面高于所述第二区上的初始...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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