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本发明涉及一种铜基多层石墨烯及其制备方法。包括：在铜基底表面生长首层石墨烯；控制温度使铜基底表面产生形变，使首层石墨烯与铜基底产生局部分离，且使首层石墨烯产生裂隙，裸露出部分铜基底；经铜基底的催化作用，碳源气体在铜基底表面形成碳原子，并在裂...
该专利属于常州第六元素半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州第六元素半导体有限公司授权不得商用。

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