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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底上具有导电结构以及覆盖导电结构的绝缘结构；形成掩膜层，掩膜层位于绝缘结构上，且掩膜层内具有暴露绝缘结构的第一部分顶面的第一开口；...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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