温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置结构，包含源极/漏极外延部件，设置于基底上方，其中源极/漏极外延部件包括:第一外延层；第二外延层，接触第一外延层，其中第二外延层具有第一掺杂物浓度；及第三外延层，具有被第二外延层包围的侧壁，其中第三外延层具有大于第一掺杂物浓度...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。