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本发明提供一种TiVCrZrWAg高熵合金薄膜材料及其制备方法和应用，包括如下步骤：对硅基底进行清洗和烘干处理；将清洗和烘干后的硅基底置于磁控溅射装置的真空腔体中，将TiVCrZrW靶材和Ag靶材安装在磁控溅射装置的靶位上；向真空腔体中通入...
该专利属于烟台大学所有，仅供学习研究参考，未经过烟台大学授权不得商用。

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