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本发明涉及石墨烯的化学气相沉积法制备领域，具体为一种高质量均匀少数层单晶石墨烯薄膜的制备方法，适用于制备大面积高质量的均匀少数层单晶石墨烯薄膜。采用高溶碳量的单晶金属基底，采用两步化学气相沉积方法在单晶金属基底表面生长少数层单晶石墨烯：首先...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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