温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种InN/CoNi‑MOF异质结光电极材料及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：采用分子束外延生长工艺在衬底上生长InN纳米柱；采用三电极系统，生长InN纳米柱的衬底作为工作电极，使用二价镍盐和二价钴盐的溶液作为电解质，...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。