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本发明提供一种维持脱模性且抗静电性能优异的半导体成型用脱模膜、和使用该半导体成型用脱模膜的半导体封装的制造方法。一种半导体成型用脱模膜，其依次具有脱模层、导电层和基材层，所述脱模层包含导电性聚合物。...
该专利属于株式会社力森诺科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社力森诺科授权不得商用。

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