【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体成型用脱模膜和半导体封装的制造方法。
技术介绍
1、近年来，随着电子设备、特别是手机的薄型化发展，对半导体元件等电子部件也要求进一步的薄型化。另外，从提高散热性的观点考虑，采用使电子部件表面的一部分露出的露出成形(exposed die molding)来代替用密封树脂覆盖电子部件整体的包覆成形(overmolding)的情况正在增加。
2、在以成为电子部件的一部分露出的状态的方式密封电子部件时，需要防止密封材料向电子部件的露出部泄漏(飞边毛刺)。因此，进行以下操作：在电子部件的露出部分粘贴有具有脱模性的膜(脱模膜)的状态下进行密封，然后剥离脱模膜而使电子部件的表面露出。
3、作为这样的脱模膜，例如在专利文献1中记载了在由拉伸聚酯树脂膜构成的基材膜的至少一面层叠由氟树脂构成的膜而成的层叠膜。
4、专利技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2006-49850号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在脱模膜由容易带电的材质构成的情况下，在使脱模膜与电子部件接触时或将脱模膜从电子部件剥离时会发生放电，有可能产生电子部件的静电破坏。近年来，随着半导体元件的高集成化，工艺节点的微细化不断发展，产生电子部件的静电破坏的可能性正不断提高。
3、鉴于上述情况，本公开的一个方式的课题在于提供一种维持脱模性且抗静电性能优异的半导体成型用脱模膜。本公开的另一方式的课题在于提供一种使
4、用于解决课题的方法
5、用于解决上述课题的具体方法包括以下的方式。
6、＜1＞一种半导体成型用脱模膜，其依次具有脱模层、导电层和基材层，
7、上述脱模层包含导电性聚合物。
8、＜2＞根据＜1＞所述的半导体成型用脱模膜，上述导电性聚合物包含聚乙烯二氧噻吩，上述导电层包含聚乙烯二氧噻吩。
9、＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的半导体成型用脱模膜，上述导电性聚合物包含能够溶解于1-甲氧基-2-丙醇中的聚乙烯二氧噻吩。
10、＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的半导体成型用脱模膜，上述脱模层侧的表面电阻率小于或等于1×109ω/sq。
11、＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的半导体成型用脱模膜，上述脱模层中所含的上述导电性聚合物的含有率相对于上述脱模层的总量大于或等于0.5质量％。
12、＜6＞根据＜1＞～＜5＞中任一项所述的半导体成型用脱模膜，其用于传递模塑或压缩模塑。
13、＜7＞一种半导体封装的制造方法，使用＜1＞～＜6＞中任一项所述的半导体成型用脱模膜来进行传递模塑工序或压缩模塑工序。
14、＜8＞根据＜7＞所述的半导体封装的制造方法，在上述传递模塑工序或上述压缩模塑工序中进行露出成形。
15、专利技术效果
16、根据本公开的实施方式，能够提供维持脱模性且抗静电性能优异的半导体成型用脱模膜、和使用该半导体成型用脱模膜的半导体封装的制造方法。
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1.一种半导体成型用脱模膜，其依次具有脱模层、导电层和基材层，
2.根据权利要求1所述的半导体成型用脱模膜，所述导电性聚合物包含聚乙烯二氧噻吩，所述导电层包含聚乙烯二氧噻吩。
3.根据权利要求1所述的半导体成型用脱模膜，所述导电性聚合物包含能够溶解于1-甲氧基-2-丙醇中的聚乙烯二氧噻吩。
4.根据权利要求1所述的半导体成型用脱模膜，所述脱模层侧的表面电阻率小于或等于1×109Ω/sq。
5.根据权利要求1所述的半导体成型用脱模膜，所述脱模层中所含的所述导电性聚合物的含有率相对于所述脱模层的总量大于或等于0.5质量％。
6.根据权利要求1所述的半导体成型用脱模膜，其用于传递模塑或压缩模塑。
7.一种半导体封装的制造方法，使用权利要求1～6中任一项所述的半导体成型用脱模膜来进行传递模塑工序或压缩模塑工序。
8.根据权利要求7所述的半导体封装的制造方法，在所述传递模塑工序或所述压缩模塑工序中进行露出成形。
【技术特征摘要】
1.一种半导体成型用脱模膜，其依次具有脱模层、导电层和基材层，
2.根据权利要求1所述的半导体成型用脱模膜，所述导电性聚合物包含聚乙烯二氧噻吩，所述导电层包含聚乙烯二氧噻吩。
3.根据权利要求1所述的半导体成型用脱模膜，所述导电性聚合物包含能够溶解于1-甲氧基-2-丙醇中的聚乙烯二氧噻吩。
4.根据权利要求1所述的半导体成型用脱模膜，所述脱模层侧的表面电阻率小于或等于1×109ω/sq。
5.根据...
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