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本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区；形成多个掩膜结构，暴露出每个有源区的中间区域，每个掩膜结构包括第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层，第二掩膜层相对于第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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