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本发明公开一种低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型深阱、P型阱、N型阱等；在第三N+注入区的下方设有第三N阱，且第二P型浅阱中的第二P+注入通过金属线与阳极相连，第二N+注入与第五N+注入与阳极相连，该设计...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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