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描述了半导体装置和其制造方法。使用标准工艺流程制造晶体管。形成从基板的顶表面延伸至晶片装置的底表面的通孔开口，从而允许纳米TSV进行高密度封装，以及将装置连接至背侧电力轨。在通孔开口中沉积金属，并将晶片装置的底表面接合至接合晶片。任选地，薄...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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