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本发明提供的离子能量控制装置及方法、半导体工艺设备，该装置中，脉冲生成模块设置于半导体工艺设备的工艺腔室中，且位于基座下方，用于生成脉冲电压信号，并加载至基座中的馈入电极；控制单元用于根据预设的最大离子电流值、馈入电极与基座上晶圆构成电容的...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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