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本发明提供双层进气外延工艺中改善膜厚均匀性的方法及晶圆和设备，所述方法包括：衬底片在上层进气和下层进气的双层气体作用下进行外延生长，得到膜厚均匀的晶圆；其中，所述上层进气包括第一载气和反应源气，所述下层进气包括第二载气；所述第一载气和第二载...
该专利属于浙江求是创芯半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江求是创芯半导体设备有限公司授权不得商用。

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