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本申请提供一种半导体工艺方法及装置，方法包括：提供包括石英件、高频射频电源和低频射频电源的反应离子刻蚀工艺反应腔；调节高频射频电源和低频射频电源的频率和功率，反应离子刻蚀石英件以调节石英件粗糙度。本申请通过设置反应离子刻蚀石英件的射频电源频...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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