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本发明提供一种单光子雪崩二极管的结构，包括：依次在衬底上叠设的N型掺杂InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP组分渐变层、N型掺杂InP电荷层以及InP层；像素阵列，设置在InP层，包括有多个像素；P高掺结构，设置在InP层中的多个...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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