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一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成器件沟槽；在所述器件沟槽的底部和下部侧壁表面形成场氧介质层和屏蔽电极；形成隔离介质层，所述隔离介质层覆盖所述场氧介质层和屏蔽电极，且暴露出所述器件沟槽的上部侧壁...
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