半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成器件沟槽；在所述器件沟槽的底部和下部侧壁表面形成场氧介质层和屏蔽电极；形成隔离介质层，所述隔离介质层覆盖所述场氧介质层和屏蔽电极，且暴露出所述器件沟槽的上部侧壁表面；形成栅氧介质层，所述栅氧介质层覆盖所述器件沟槽的上部侧壁表面和所述隔离介质层，且具有第一空腔；在所述第一空腔内沉积金属栅电极材料，以形成金属栅极。本发明专利技术可以有效降低比导通电阻Rsp和寄生电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、屏蔽栅(shielded gate trench，sgt，又称为分离栅)场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)器件，由于其具有较低的栅漏电容cgd、较低的导通电阻、较高的耐压性能以及较快的开关速度，相较传统沟槽mosfet更有利于半导体功率器件的灵活应用。

2、具体而言，在sgt mosfet中，通过在栅电极的下方设置屏蔽电极，从而可以大幅降低栅漏电容并优化器件电场提高击穿电压，并且sgt mosfet的漂流区中还具有较高的杂质载流子浓度，相应的可以降低导通电阻。

3、然而，作为评价sgt mosfet的重要指标，现有器件的比导通电阻rsp和寄生电容仍然较高(比导通电阻rsp为导通电阻与有效管芯面积的乘积)，需要对其改进，更好地满足需求。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，可以有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅氧介质层，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅氧介质层的厚度是根据所述金属栅极的标准阈值电压确定的；

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述低K值隔离介质层的材料的介电常数和/或所述低K值隔离介质层的厚度是根据所述栅氧介质层的厚度确定的；

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场氧介质层为初始场氧薄膜和高K值场氧介质层的叠层；p>

7.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅氧介质层，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅氧介质层的厚度是根据所述金属栅极的标准阈值电压确定的；

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述低k值隔离介质层的材料的介电常数和/或所述低k值隔离介质层的厚度是根据所述栅氧介质层的厚度确定的；

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈益群，贾成涛，施云生，孙少芳，吕刚，
申请(专利权)人：宁波群芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：