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本发明提供一种基于多级沟槽的半导体器件终端结构，属于半导体器件技术领域。该半导体器件终端结构包括衬底、位于衬底上的漂移区、位于衬底背面的阴极，以及阳极；漂移区包括主结区和与主结区相邻的结终端区；主结区包括第一掺杂区；结终端区包括至少一个与第...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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