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本发明提供一种超结半导体器件及其制造方法，超结半导体器件包括：衬底；第一外延层和第二外延层，形成于衬底上，第二外延层包括多层堆叠的子外延层，第一外延层比第二外延层更靠近衬底，或者，第二外延层比第一外延层更靠近衬底；沟槽填充结构和离子掺杂区，...
该专利属于芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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