温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置，其包括：具有第一导电性类型的基板，所述基板具有顶部表面和底部表面；第一埋层，其在所述基板中安置于距所述顶部表面第一深度处，其中所述第一埋层具有第二导电性类型和第一掺杂浓度；第二埋层，其在所述第一深度处邻近于且包围所述第一埋层...
该专利属于恩智浦有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩智浦有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。