用于有源组件的隔离结构制造技术

一种半导体装置，其包括：具有第一导电性类型的基板，所述基板具有顶部表面和底部表面；第一埋层，其在所述基板中安置于距所述顶部表面第一深度处，其中所述第一埋层具有第二导电性类型和第一掺杂浓度；第二埋层，其在所述第一深度处邻近于且包围所述第一埋层，其中所述第二埋层具有所述第二导电性类型和第二掺杂浓度，其中所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；以及隔离沟槽，其安置于所述基板中且包围所述第二埋层，其中所述隔离沟槽从所述基板的所述顶部表面延伸到第二深度，所述第二深度超过所述第一深度。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及用于半导体装置中的有源组件的隔离结构。特定来说，本说明书涉及沟槽隔离。

技术介绍

1、双极cmosdmos(bcd)工艺技术实现了将模拟组件、数字组件和高电压(hv)装置并入到单个芯片或集成电路(ic)中。这些组件被设计成使得它们并不干扰基板上的邻近组件(例如，与所述邻近组件闭锁)。因此，需要使邻近的组件正确地彼此隔离。存在多种不同的隔离方案，例如块体晶片中的基于接合点的隔离或基于沟槽的隔离，或绝缘体上硅(silicon-on-insulator，soi)晶片中的基于沟槽的隔离。

2、基于沟槽的隔离的典型设计涉及与沟槽氧化物相交的重掺杂埋层(buriedlayer，bl)，其中沟槽部分或完全地填充有氧化物。

技术实现思路

1、在随附的独立权利要求和从属权利要求中陈述了本公开的方面。来自从属权利要求的特征的组合可以按需要与独立权利要求的特征进行组合，而不仅仅是按照权利要求书中所明确陈述的那样组合。

2、根据本公开的第一方面，提供一种半导体装置，其包括具有第一导电性类型的基板，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂浓度在5x1018/cm3与5x1019/cm3之间。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂浓度在5x1016/cm3与5x1017/cm3之间。

4.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述基板包括基底基板和安置于所述基底基板上方的至少一个外延层，其中所述隔离沟槽以及所述第一埋层和所述第二埋层安置于所述至少一个外延层中。

5.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述半导...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂浓度在5x1018/cm3与5x1019/cm3之间。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂浓度在5x1016/cm3与5x1017/cm3之间。

4.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述基板包括基底基板和安置于所述基底基板上方的至少一个外延层，其中所述隔离沟槽以及所述第一埋层和所述第二埋层安置于所述至少一个外延层中。

5.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括安置于所述基板的所述顶部表面与所述第一埋层之间的第一阱区，其中所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏米特拉·拉杰·梅赫罗特拉，祝荣华，托德·罗根鲍尔，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：