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本发明提供了一种原生NMOS元件及其制造方法。原生NMOS元件包括：P型外延层、第一绝缘区与第二绝缘区、第一P型阱区与一第二P型阱区、栅极以及N型源极与N型漏极。其中P型外延层具有第一P型杂质掺杂浓度。第一P型阱区完全覆盖并连接于N型源极的...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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