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本发明属于半导体晶圆技术领域,尤其涉及一种带散热金刚石衬底的半导体晶圆的制备方法,通过抛光半导体晶片,用Smart‑Cut技术向半导体晶片端面注入离子形成微空腔,形成半导体薄膜;通过化学气相沉积法将金刚石直接生长在半导体薄膜的背面,作为晶圆...该专利属于上海爱德赞医疗科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海爱德赞医疗科技有限公司授权不得商用。
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本发明属于半导体晶圆技术领域,尤其涉及一种带散热金刚石衬底的半导体晶圆的制备方法,通过抛光半导体晶片,用Smart‑Cut技术向半导体晶片端面注入离子形成微空腔,形成半导体薄膜;通过化学气相沉积法将金刚石直接生长在半导体薄膜的背面,作为晶圆...