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薄膜晶体管及其制备方法技术
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文档序号:41095935
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本公开提供了一种薄膜晶体管,可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括:基板;栅极金属层;沟道层;介质层,位于栅极金属层和沟道层之间;钝化层,包括源极接触孔和漏极接触孔;源极阻挡层,位于源极接触孔内;漏极阻挡层,位于漏极接触孔内;源极,通过...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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