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本发明公开了一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于微电子器件技术领域。本发明的晶体管在p‑GaN栅与漏极之间引入MIS栅组成混合栅，MIS栅的开启电压低于p‑GaN栅的阈值电压，器件开通时，整体阈值电压由p‑GaN栅决...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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