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本发明的课题在于缩短关断所需的时间而减小能耗。沟槽型IGBT包含作为多个沟槽(120)的在内部具有栅极区域的多个栅极沟槽(120G)及具有连接于发射电极的发射极区域的多个发射极沟槽(120E)。具有与沟槽(120)相邻的台面区且不作为信道发...该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。
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本发明的课题在于缩短关断所需的时间而减小能耗。沟槽型IGBT包含作为多个沟槽(120)的在内部具有栅极区域的多个栅极沟槽(120G)及具有连接于发射电极的发射极区域的多个发射极沟槽(120E)。具有与沟槽(120)相邻的台面区且不作为信道发...