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本发明的半导体装置(A1)具有：半导体元件(10)，其具有在厚度方向(z)上互相朝向相反侧的元件主面以及元件背面，在元件主面上形成有主面电极(11)、即第一电极(111)，在元件背面上形成有背面电极(12)；导电部件(22A)，其与元件背面...
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