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本发明提供一种窄谱带绿光、红光Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，采用一锅法制备，将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶。本发明实现了半峰宽小于...
该专利属于北京交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京交通大学授权不得商用。

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