窄谱带绿光、红光Ag-In-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法技术

本发明专利技术提供一种窄谱带绿光、红光Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，采用一锅法制备，将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶。本发明专利技术实现了半峰宽小于40nm的光致发光光谱；通过调控In、Ga的比例，实现了窄谱带绿光至红光范围量子点的合成，发光峰位在480nm‑680nm，拓宽了窄谱带发光范围，同时也实现了窄带发射的特性；引入少量的锌前驱体，抑制了表面缺陷和内部缺陷发光，实现量子荧光产率大于40％、窄带发射的特性；简化了步骤，合成简单便捷；随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及量子点合成，具体涉及一种窄谱带绿光、红光ag-in-ga-zn-s纳米晶的制备方法。

技术介绍

1、胶体半导体纳米晶又称为半导体量子点，i-iii-vi族量子点在发光二极管(led)领域的研究背景具有深远的意义。这些量子点由i族、iii族和vi族元素组成，如铜铟硫(cuins2)和铜铟硒(cuinse2)，并因其独特的光电特性而成为发光二极管技术发展的关键材料。目前半导体量子点的电致发光器件主要以ii-vi族镉基量子点为发光层材料，但镉等重金属元素对环境和人体都有一定的危害，相比之下i-iii-vi族半导体纳米晶的制备合成更为绿色环保；传统银基i-iii-vi族半导体纳米晶由于自身内部具有大量缺陷态，致使其光致发光(pl)光谱及电致发光(el)光谱半峰全宽(fwhm)普遍较宽，导致了应用的发光器件色纯度不高，限制了i-iii-vi族半导体纳米晶在显示领域的应用；目前对于窄带i-iii-vi族半导体纳米晶的报道进局限于绿光至黄光范围内，红光还没有报道过，不利于实现i-iii-vi族半导体纳米晶全光谱范围显示发光；除此之外，所有报道过的窄带i-i本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种窄谱带绿光、红光Ag-In-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法，其特征在于，包括：将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag-Ga-Zn-S纳米晶；通过调控In、Ga的比例实现发光峰位的移动，调控发光峰半峰全宽。

2.根据权利要求1所述的窄谱带绿光、红光Ag-In-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法，其特征在于，光致发光光谱半峰全宽小于40nm。

3.根据权利要求1所述的窄谱带绿光、红光Ag-In-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法，其特征在于，光致发光峰位于480-680nm处。

4.根据权利要求1所述的窄谱带绿光、红光A...

【技术特征摘要】

1.一种窄谱带绿光、红光ag-in-ga-zn-s纳米晶的制备方法，其特征在于，包括：将ag源、in源、ga源、zn源一锅法预热，后注入s前驱体溶液升温得到ag-ga-zn-s纳米晶；通过调控in、ga的比例实现发光峰位的移动，调控发光峰半峰全宽。

2.根据权利要求1所述的窄谱带绿光、红光ag-in-ga-zn-s纳米晶的制备方法，其特征在于，光致发光光谱半峰全宽小于40nm。

3.根据权利要求1所述的窄谱带绿光、红光ag-in-ga-zn-s纳米晶的制备方法，其特征在于，光致发光峰位于480-680nm处。

4.根据权利要求1所述的窄谱带绿光、红光ag-in-ga-zn-s纳米晶的制备方法，其特征在于，所述窄谱带发光量子点制备引入了zn前驱体，抑制了表面缺陷和内部缺陷发光，量子荧光产率大于40％，实现窄带发光。

5.根据权利要求1所述的窄谱带绿光、红光ag-in-ga-zn-s纳米晶的制备方法，其特征在于，所述窄谱带发光量子点制备采用一锅法制备。

6.根据权利要求1所述的窄谱带绿光、红光ag-in-ga-zn-s纳米晶的制备方法，其特征在于，制备量子点制备步骤包括：

7.根据权利要求6所述的窄谱带绿光、红光ag-in-ga-zn-s纳米晶的制备方法，其特征在于，步骤1所述药品中，ag源为硝酸银、醋酸银、碳酸银或卤化银中的一种或多种的混合；in源为乙酰丙酮铟、氯化铟、硝酸铟、硫酸铟或醋酸铟中的一种或多种的混合；镓源为乙酰丙酮镓、氯化镓、硝酸镓、...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐爱伟，解修林，林欧阳，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：