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本发明公开了一种硅片的铝硼共吸杂的方法，包括如下步骤：制备掺硼铝源，硅片清洗，利用镀膜技术在硅片表面形成硼铝层，一步或多步退火，硅片表层去除。本发明利用了硼相对铝在硅中有较大固溶度的特点，在铝中掺入硼，利用铝和硅的合金化过程将硼掺入到重掺层...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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