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本发明涉及半导体封装技术领域，更具体而言，涉及一种纳米叠层Cu‑Sn低温固态扩散键合工艺方法。本发明通过制作Cu/Sn/Cu/Sn/Cu/Sn/Cu叠层结构的微凸点，利用纳米金属熔点降低效应和尺寸效应，降低键合温度和缩短Sn‑Cu界面扩散距...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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