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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超结MOS器件。超结MOS器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的下表面与第一导电类型衬底层的上表面接触；第二导电类型掺杂柱，第二导电类型掺杂柱位于第一导电类型...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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