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本发明属于半导体光电材料生产设备技术领域，尤其涉及一种优化的HVPE‑GaN镓舟反应器及GaN晶体生长方法。本发明所述反应器包括镓舟组，镓舟组内部设置有GaCl载气输送管道，镓舟组内部包括三个主要腔室：HCl气体分配腔、GaCl气体反应腔以...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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