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本发明公开了一种伪栅阵列DEMOS器件及其制作方法。本发明中的伪栅阵列DEMOS器件包括硅衬底、阱区、源区、漏区、漂移区、伪栅阵列结构和栅极结构；在硅衬底上设有阱区和漂移区；所述栅极结构覆盖部分阱区和部分漂移区；所述源区与所述栅极结构的第一...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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