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公开了一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括：第一掺杂类型的半导体层；沟槽隔离结构，位于半导体层内，沟槽隔离结构为环形，沟槽隔离结构内部的区域为有源区，沟槽隔离结构以及沟槽隔离结构外侧的区域为终端区；第二掺杂类型的漂移区，位于半...
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