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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括光电转换区，所述光电转换区的所述衬底中形成有沟槽；在所述沟槽的底部形成第一应力缓冲层；在所述第一应力缓冲层的顶部形成光电转换层，所述第一应力缓冲层的晶格常数介于所述衬底的晶格常数与...
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