温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种JFET区具有导流层的SiC MOSFET结构及制备方法，结构包括：N‑漂移区层位于N+衬底层的上表面；两个P型基区位于器件两端的N‑漂移区层内；两个P型基区之间形成有JFET区；两个P+体区位于器件两端的P型基区内；两个N...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。