JFET区具有导流层的SiC MOSFET结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种JFET区具有导流层的SiC MOSFET结构及制备方法，结构包括：N‑漂移区层位于N+衬底层的上表面；两个P型基区位于器件两端的N‑漂移区层内；两个P型基区之间形成有JFET区；两个P+体区位于器件两端的P型基区内；两个N+源区位于P型基区内且邻接P+体区；两个沟道区位于P型基区内且邻接N+源区；两个导流层位于JFET区内且邻接沟道区；阻流层位于两个导流层之间的JFET区内；两个源电极位于器件两端的P+体区和N+源区上；栅氧层位于两个N+源区、两个沟道区、两个导流层、阻流层和JFET区上；栅电极位于栅氧层上；漏电极位于N+衬底层的下表面。本发明专利技术提升了器件的短路耐受时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种jfet(field effect transistor，场效应晶体管)区具有导流层的sic mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，简称金属-氧化-半导体场效应晶体管)结构及制备方法。

技术介绍

1、在电力电子领域，sic mosfet功率器件发展迅速，被广泛应用于新能源汽车，电动汽车充电桩，风力发电，高铁等领域。此类应用场景下sic mosfet面临的可靠性考验也更加凸显，尤其在短路可靠性方面，因为此类故障发生的时间极短但是极具破坏性。一是sic具有更宽的禁带宽度，在相同的耐压下器件的漂移区浓度可以比硅基器件掺杂更高，二是sic芯片面积更小，电流能力更强。经实验测试，si mosfet的短路耐量可以达到10微秒以上，而sic mosfet由于栅氧可靠性以及电流密度过大，其短路耐量远低于si mosfet。

2、目前短路测试是表征sic mosfet器件可靠性的重要实验。功率器件有时会工作在短路的故障下，通常情况下，一旦检测到器件短路，外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种JFET区具有导流层的SiC MOSFET结构，其特征在于，所述SiC MOSFET结构包括：

2.根据权利要求1所述的JFET区具有导流层的SiC MOSFET结构，其特征在于，每个导流层的厚度与所述沟道区厚度之比为1/2～2，且每个导流层的厚度小于所述JFET区的深度；每个导流层的长度与所述JFET区宽度之比为1/12～1/3。

3.根据权利要求1所述的JFET区具有导流层的SiC MOSFET结构，其特征在于，每个导流层的厚度与所述沟道区厚度之比为1/2；每个导流层的长度与所述JFET区宽度之比为1/12。

4.根据权利要求1所述的JFE...

【技术特征摘要】

1.一种jfet区具有导流层的sic mosfet结构，其特征在于，所述sic mosfet结构包括：

2.根据权利要求1所述的jfet区具有导流层的sic mosfet结构，其特征在于，每个导流层的厚度与所述沟道区厚度之比为1/2～2，且每个导流层的厚度小于所述jfet区的深度；每个导流层的长度与所述jfet区宽度之比为1/12～1/3。

3.根据权利要求1所述的jfet区具有导流层的sic mosfet结构，其特征在于，每个导流层的厚度与所述沟道区厚度之比为1/2；每个导流层的长度与所述jfet区宽度之比为1/12。

4.根据权利要求1所述的jfet区具有导流层的sic mosfet结构，其特征在于，所述阻流层的厚度与所述沟道区的厚度之比为1/2～4，且所述阻流层的厚度小于所述jfet区的深度；所述阻流层的长度与所述jfet区的宽度之比为1/4～1/2。

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【专利技术属性】
技术研发人员：贾仁需，袁洋洋，韩超，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：