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本发明公开了纳米CMOS工艺下一种基于DICE版图交织加固单元的SRAM实现方法，包括SRAM结构，SRAM结构包括时钟控制模块、第一行译码器、第二行译码器、列译码器、第一存储阵列、第二存储阵列、第三存储阵列、第四存储阵列，第一存储阵列、第...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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