温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高浪涌VDMOS器件结构及其制作方法。该方法包括提供第一导电类型的衬底，并在衬底上制作外延层；通过Ring注入工艺形成设置在终端区的第一Ring结构和设置在元胞位置中部的第二Ring结构；对第二Ring结构及其四周的外延层内...
该专利属于南京华瑞微集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京华瑞微集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。