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本发明涉及一种用于CMOS器件仿真的器件模型生成方法，属于集成电路设计技术领域，解决了现有技术中除Si基外的CMOS器件使用标准BSIM模型仿真精度较差的问题。包括使用标准BSIM模型拟合待生成基CMOS器件的电学特征曲线；其中，待生成基为...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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