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本发明公开一种增加JFET区源极接触的屏蔽型SiC MOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，MOS元胞中引入反偏肖特基结与屏蔽结构，细径段JFET形成良好的夹断效应，有效屏蔽强电场在栅氧下方的分布，从而提高器件的雪崩能力，还可以在高漏源...
该专利属于北京清芯微储能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京清芯微储能科技有限公司授权不得商用。

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