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一种金属离子插层制备MV3O8/CNT纳米复合材料的方法技术
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文档序号:40949637
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本发明公开了一种金属离子插层制备MV<subgt;3</subgt;O<subgt;8</subgt;/CNT纳米复合材料技术,包括如下步骤:a,将V<subgt;2</subgt;O<subgt;...
该专利属于常熟理工学院所有,仅供学习研究参考,未经过常熟理工学院授权不得商用。
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