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本发明涉及一种用于确定半导体开关(2)的阻挡层的温度的方法，其中，至少在所述半导体开关(2)的接通过程期间监控在所述半导体开关(2)的源极接头(S)和所述半导体开关(2)的开尔文源极接头(S′)之间的第一电压(V<subgt;S′S&...
该专利属于罗伯特·博世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特·博世有限公司授权不得商用。

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