用于确定半导体开关的阻挡层的温度的方法、装置制造方法及图纸

技术编号:40948201 阅读:9 留言:0更新日期:2024-04-18 20:22
本发明专利技术涉及一种用于确定半导体开关(2)的阻挡层的温度的方法,其中,至少在所述半导体开关(2)的接通过程期间监控在所述半导体开关(2)的源极接头(S)和所述半导体开关(2)的开尔文源极接头(S′)之间的第一电压(V<subgt;S′S</subgt;),并且其中,根据所述第一电压(V<subgt;S′S</subgt;)确定所述阻挡层的温度。规定,监控是否存在与温度无关的第一触发器,监控是否存在与温度相关的第二触发器,其中,在检测到超过预定的第一阈值(V<subgt;ref1</subgt;)的第一电压(V<subgt;S′S</subgt;)时确认了存在第二触发器,求取以检测到第一触发器为开始并且以检测到第二触发器为结束的第一时间间隔,并且根据所述第一时间间隔确定所述阻挡层的温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于确定半导体开关的阻挡层的温度的方法,其中,至少在半导体开关的接通过程期间监控在半导体开关的源极接头和半导体开关的开尔文源极接头之间的第一电压,并且其中,根据第一电压确定阻挡层的温度。此外,本专利技术还涉及一种用于执行本文开头所述方法的装置。


技术介绍

1、功率电子器件的半导体开关在功率电子器件的运行中承受巨大的负荷。为了保护半导体开关不受热过载的影响,要频繁确定半导体开关的或功率电子器件的温度并且功率电子器件根据特定的温度运行。

2、由现有技术例如已知,借助热电偶或者借助光学的方法来测量半导体开关的温度。热电偶和光学的方法在温度测量方面虽然提供了良好的空间分辨率,但半导体开关的适用的表面必须为了测量而能接近。此外,在使用热电偶或光学的方法时对温度变化的动态响应较小。

3、此外还已知的是,半导体开关的阻挡层中的载流子浓度随着阻挡层的温度发生改变,其中,这种改变也促成了半导体开关的不同的所谓的与温度相关的电气参数(tsep(temperature sensitive electrical parameter),即温本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.用于确定半导体开关(2)的阻挡层的温度的方法,其中,至少在所述半导体开关(2)的接通过程期间监控在所述半导体开关(2)的源极接头(S)和所述半导体开关(2)的开尔文源极接头(S′)之间的第一电压(VS′S),并且其中,根据所述第一电压(VS′S)确定所述阻挡层的温度,其特征在于,监控是否存在与温度无关的第一触发器,监控是否存在与温度相关的第二触发器,其中,在检测到超过预定的第一阈值(Vref1)的第一电压(VS′S)时确认了存在第二触发器,求取以检测到第一触发器为开始并且以检测到第二触发器为结束的第一时间间隔,并且根据所述第一时间间隔确定所述阻挡层的温度。

2.根据权利要...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.用于确定半导体开关(2)的阻挡层的温度的方法,其中,至少在所述半导体开关(2)的接通过程期间监控在所述半导体开关(2)的源极接头(s)和所述半导体开关(2)的开尔文源极接头(s′)之间的第一电压(vs′s),并且其中,根据所述第一电压(vs′s)确定所述阻挡层的温度,其特征在于,监控是否存在与温度无关的第一触发器,监控是否存在与温度相关的第二触发器,其中,在检测到超过预定的第一阈值(vref1)的第一电压(vs′s)时确认了存在第二触发器,求取以检测到第一触发器为开始并且以检测到第二触发器为结束的第一时间间隔,并且根据所述第一时间间隔确定所述阻挡层的温度。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,配属于所述半导体开关(2)的栅极驱动电路(5)提供所述第一触发器。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述第一电压(vs′s)确认了存在所述第一触发器。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,预定第二阈值,并且在检测到低于所述第二阈值的第一电压(vs′s)时确认了存在所述第一触发器。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,监控在所述半导体开关(2)的栅极接头(g)和所述半导体开关(2)的源极接头(s)之间的第二电压(vgs′),并且根据随着所述第一时间间隔的结束检测到的第二电压(vgs′)确定所述阻挡层的温度。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在所述半导体开关(2)的关断过程期间监控所述第一电压(vs′s),监控是否存在与温度无关的第三触发器,监控是否存...

【专利技术属性】
技术研发人员:K·沙尔玛I·卡尔法斯
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司
类型:发明
国别省市:

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