温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的方面一般涉及例如可控硅整流器等四层半导体器件。本公开的其他方面涉及静电放电ESD以及包括该静电放电ESD的保护电路。在根据本公开的四层半导体器件中，提供电绝缘，电绝缘至少部分地在外延层内延伸，并且防止电流在第一器件端子与第二器件端子...
该专利属于安世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安世有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。